У нас вы можете скачать крен2г схема подключения в fb2, txt, PDF, EPUB, doc, rtf, jar, djvu, lrf!

По мере зарядки конденсатора через резистор R3 транзистор закрывается, напряжение на выводе 8 DA1, а следовательно, и на выходе устройства возрастает, и спустя некоторое время выходное напряжение достигает заданного уровня. Длительность установления выходного напря жения зависит от постоянной времени цепи R3C3.

Назначение конденсаторов С1 и С2 — то же, что и в СН по схеме на рис. СН с выходным напряжением повышенной стабильности. Как видно из схемы, отличие этого СН от устройства по схеме на рис. Последний поддерживает более стабильное напряжение на выводе 8 микросхемы DA1 и тем самым дополнительно уменьшает колебания напряжения на нагрузке. Недостаток устройства — невозможность плавной регулировки выходного напряжения его можно изменять только подбором стабилитрона VD1.

СН с регулируемым выходным напряжением, выходное напряжение которого можно регулировать от 0 до 10 В. Требуемое значение устанавливают переменным резистором R2. СН с внешними регулирующими транзисторами. Однако эксплуатация их с предельным током нагрузки нежелательна, так как требует применения эффективных теплоотводов допустимая рабочая температура кристалла ниже, чем у большинства мощных транзисторов.

Облегчить режим работы микросхемы в подобных случаях можно, подключив к ней внешний регулирующий транзистор. При токе нагрузки до При большем токе это падение напряжения достигает 0, Она поддерживает выходное напряжение на заданном уровне, как и в типовом включении: Необходимо позаботиться об ограничении тока через этот транзистор, так как при замыкании в нагрузке он может достичь 20 А и даже более.

Такого тока в большинстве случаев достаточно для вывода из строя не только регулирующего транзистора, но и нагрузки. Схема СН с ограничением тока через регулирующий транзистор. Эта задача решается включением параллельно эмиттерному переходу транзистора VT1 двух соединенных последовательно диодов VD1, VD2, которые открываются, если ток нагрузки превышает 7 А. СН продолжает работать и при некотором дальнейшем увеличении тока, но как только он достигает 8 А, срабатывает система защиты микросхемы от перегрузки.

Недостаток рассмотренного варианта — сильная зависимость тока срабатывания системы защиты от параметров транзистора и диодов, ее можно значительно ослабить, если обеспечить тепловой контакт между корпусами этих элементов. Значительно меньше этот недостаток проявляется в СН по схеме на рис.

Если исходить из того, что напряжение на эмиттерном переходе транзистора VT1 и прямое напряжение диода VD1 примерно одинаковы, то распределение тока между микросхемой DA1 и регулирующим транзистором зависит от отношения значений сопротивления резисторов R2 и R1.

При малом выходном токе падение напряжения на резисторе R2 и диоде VD1 мало, поэтому транзистор VT1 закрыт и работает только микросхема. По мере увеличения выходного тока это падение напряжения возрастает, и когда оно достигает 0, При этом микросхема поддерживает выходное напряжение на уровне, определяемом ее типом: В результате падение напряжения на регулирующем транзисторе VT1 возрастает и выходное напряжение понижается. Если же напряжение на выходе СН увеличивается, процесс регулирования протекает в противоположном направлении.

Введение в эмиттерную цепь транзистора VT1 резистора R1, повышающего устойчивость работы СН он предотвращает его самовозбуждение требует увеличения входного напряжения. В то же время, чем больше сопротивление этого резистора, тем меньше ток срабатывания по перегрузке зависит от параметров транзистора VT1 и диода VD1. Однако с увеличением сопротивления резистора возрастает рассеиваемая на нем мощность, в результате чего снижается КПД и ухудшается тепловой режим устройства.

В СН по схеме на рис. Сопротивление резистора R1 выбирают таким образом, чтобы он открывался при токе нагрузки около мА. Транзистор VT2 реагирует на изменение под действием тока нагрузки падения напряжения на резисторе R2 и открывается, когда оно достигает 0, У рассматриваемого устройства два недостатка. Во-первых, довольно большая рассеиваемая мощность при максимальном токе входное напряжение должно превосходить выходное на величину, равную сумме минимального падения напряжения на микросхеме и значений напряжения на эмиттерном переходе транзисторов VT1 и VT2.

Во-вторых, очень жесткие требования к регулирующему транзистору, который должен выдерживать максимальный ток стабилизатора при большом напряжении.

Мощный СН можно выполнить по схеме на рис. Представленный вариант обеспечивает выходное напряжение в пределах Особенность моста в том, что через входящий в него резистор R7 протекает большая часть тока нагрузки. Требуемое выходное напряжение устанавливают подстроенным резистором R6, значение тока в данном случае 5 А , при превышении которого СН становится стабилизатором тока. Свечение светодиода HL1 сигнализирует о том, что устройство перешло в режим стабилизации тока. Устройство, выполненное по схеме на рис.

Повышение точности поддержания выходного напряжения достигнуто введением цепи отрицательной обратной связи, состоящей из измерительного моста R1—R3VD1, ОУ DA2 и полевого транзистора VT1.

СН с параллельно включенными микросхемами. Но есть и недостатки. Главным из них является склонность к возбуждению.

Коэффициент усиления внутреннего усилителя ошибки столь велик, что нередко на выходе возникают автоколебания. Производители рекомендуют в таком случае увеличивать выходной конденсатор. Однако по моему опыту при определенных видах нагрузки, например, содержащих индуктивную составляющую, избавиться от самовозбуждения не удается.

Вашему вниманию подборки материалов: К онструирование источников питания и преобразователей напряжения Разработка источников питания и преобразователей напряжения.

Возможность задать вопрос авторам. П рактика проектирования электронных схем Искусство разработки устройств. На что обратить внимание при выборе микросхемы интегрального стабилизатора? У интегрального стабилизатора есть следующие важные параметры: При проектировании схем необходимо определиться с требованиями к этим параметрам, а потом найти подходящую микросхему.

Обычно это удается, так как микросхем стабилизаторов великое множество. Емкость конденсатора C1 определяется свойствами входного напряжения, обычно не может быть меньше 2 мкФ. Емкость конденсатора C2 от 10 мкФ. Но может потребоваться много большая емкость в зависимости от характера нагрузки. Эту емкость нужно увеличивать, если возникает самовозбуждение колебания напряжения на выходе. Диод защищает микросхему от обратной полярности при выключении питания и нулевой нагрузке.

Если в микросхеме встроена защита от обратной полярности, то его можно не ставить. В схемах стабилизаторов нужно предусматривать защиту от слишком большого тока нагрузки. Даже если в микросхеме есть внутренняя защита, микросхема входит в режим ограничения тока, необходим, по крайней мере, предохранитель, так как в режиме максимального тока нельзя гарантировать надежную работу микросхемы длительное время.

Если же в микросхеме внутренней защиты по току нет, то нужны цепи ограничения тока и предохранитель, так как предохранитель сгорает довольно медленно, нередко медленнее, чем микросхема. По сравнению с предыдущей схемой добавлен конденсатор C3 - 5 мкФ, резистор и транзистор. Когда сила тока нагрузки мала, напряжение на резисторе меньше напряжения отпирания эмиттерного перехода транзистора. Напряжение стабилизируется за счет тока через микросхему.

Если сила тока нагрузки повышается, то напряжение на резисторе открывает транзистор, и часть тока нагрузки начинает проходить через него, разгружая микросхему стабилизатора. К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости , чтобы быть в курсе.